小型基板向け半導体露光装置“FPA-3030i6”を発売　新開発レンズ採用と多彩なオプションにより市場が拡大するパワーデバイス製造に対応

キヤノン株式会社
キヤノンは、半導体露光装置の新製品として、新開発の投影レンズを搭載し、顧客の生産性向上を実現する i 線
ステッパー（※１）“FPA-3030i6”を 2024 年 9 月 24 日に発売します。

新製品は 8 インチ（200mm）以下の小型基板向け半導体露光装置です。高透過率と高耐久性が特長の新開発の投影レンズの採用により、高照度の露光下におけるレンズ収差の抑制と、露光時間の短縮による生産性の向上の両立を実現します。また、レンズの分解能を示す NA（開口数）の対応幅の拡大や特殊な基板にも対応できる搬送システムなど、オプション（有償）を選択できることにより、将来的な需要の高まりが予想されるパワーデバイスやグリーンデバイスなど多様な半導体デバイスの製造ニーズに応えます。

■ 高透過率と高耐久性が特長の新開発の投影レンズ採用により収差の抑制と生産性の向上を実現
高い透過率が特長のレンズ硝材を採用することで、従来機種（※2）に比べ、露光により発生するレンズ収差を 2 分の 1 以下に低減（※3）できます。これにより、高照度の露光下においても、高コントラストを維持しながら露光時間の短縮を実現 しています。さらに、レンズの高耐久性により、装置を長時間使用することによるレンズ透過率の低下とそれに伴う生産 性の低下を抑制します。レンズ透過率の向上により各工程にかかる時間の削減につながり、基板処理枚数が従来機種の毎時 123 枚から毎時 130 枚に増加（※4） し生産性向上を実現しています。

◼ 多様なオプションにより対応可能なデバイスが拡大
Si（シリコン）だけでなく、SiC（シリコンカーバイト）や GaN（ガリウムナイトライド）などの化合物半導体のウエハーにも対応するとともに、NA の変化幅が従来機種の 0.45～0.63 から 0.30～0.63 に拡大し、より小さい NA をオプション選択可能になったことで、デバイスごとに最適な NA を選択できるようになり、さまざまなデバイスへの対応の幅が広がります。また、直径 2 インチ（50mm）から直径 8 インチ（200mm）の幅広い基板サイズや、Si、SiC、GaN 以外にもGaAs（ヒ化ガリウム）やサファイアなどのさまざまな材質、基板の厚みや反りの量にも柔軟に対応する搬送システムのオプション（有償）選択が可能で、パワーデバイスやグリーンデバイスなど多様な半導体デバイスを製造するユーザーのニーズに応えます。

※1. i 線（水銀ランプ波長 365nm）の光源を利用した半導体露光装置。1nm（ナノメートル）は 10 億分の 1 メートル。
※2. 「FPA-3030i5a」（2021 年 3 月発売）
※3. キヤノンの標準露光条件において。
※4. 8 インチ（200mm）ウエハーにおいて。

〈ご参考〉
●製品仕様について
製品仕様の詳細はキヤノンホームページをご参照ください。

●キヤノンテクノロジーサイト しくみと技術：半導体露光装置