CMCリサーチ
★SiC/GaNパワーデバイスを広く市場に普及するためのポイントは何かを主題とし、強力なライバルであるシリコンデバイスの最新動向を見据えながら、わかりやすく解説いたします。
先端技術情報や市場情報を提供している(株)シーエムシー・リサーチ（千代田区神田錦町：
）では、 各種材料・化学品などの市場動向・技術動向のセミナーや書籍発行を行っておりますが、 このたび「次世代自動車・データセンタ用サーバ電源高性能化に対応するSiC/GaNパワーデバイスの技術動向と課題」と題するセミナーを、 講師に岩室 憲幸 氏 （筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授）をお迎えし、2024年10月16日（水）10：30より、 ZOOMを利用したライブ配信で開催いたします。 受講料は、 一般：55,000円（税込）、 弊社メルマガ会員：49,500円（税込）、 アカデミック価格は26,400円（税込）となっております（資料付）。
セミナーの詳細とお申し込みは、 弊社の以下URLをご覧ください！
質疑応答の時間もございますので、 是非奮ってご参加ください。
【セミナーで得られる知識】
データセンタ用電源やxEVにおけるパワーデバイスの使われ方。パワーデバイス全体の最新技術動向、Si,SiC,GaNデバイス・実装最新技術、Si、SiCデバイス特有の設計、プロセス技術、など
【セミナー対象者】
パワーエレクトロニクス開発ご担当、パワーデバイス開発ご担当、パワーエレクトロニクス機器販売、パワーデバイス販売ご担当者
1）セミナーテーマ及び開催日時
テーマ：次世代自動車・データセンタ用サーバ電源高性能化に対応するSiC/GaNパワーデバイスの技術動向と課題
開催日時：2024年10月16日（水）10：30～16：30
参 加 費：55,000円（税込） ※ 資料付
＊ メルマガ登録者は 49,500円（税込）
＊ アカデミック価格は 26,400円（税込）
講 師：岩室 憲幸 氏 筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授
〈セミナー趣旨〉
本講座では、SiC/GaNパワーデバイスを広く市場に普及するためのポイントは何かを主題に解説する。2024年現在、世界各国は自動車の電動化（xEV）開発に向け大きく進展している。そして2030年代には日、米、欧、中がガソリン車の新車販売を禁止するなど、xEVは、もはや大きな潮流となった。さらにAI化の流れにのってデータセンタの建設が世界各地で進んでいる。このデータセンタはその電力消費が莫大と言われており、サーバ用電源の高効率化は喫緊の課題でもある。
これらxEV化ならびにサーバ用電源の高効率化の進展には高性能パワーデバイスが必要不可欠であり，特に新材料パワーデバイスであるSiC/GaNパワーデバイスの普及が大いに期待されている。しかし現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられていない。SiC/GaNパワーデバイスの今後について、強力なライバルであるシリコンデバイスの最新動向を見据えながら、わかりやすく解説したい。
※本セミナーは、当日ビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。推奨環境は当該ツールをご参照ください。後日、視聴用のURLを別途メールにてご連絡いたします。
★受講中の録音・撮影等は固くお断りいたします。
2）申し込み方法
シーエムシー・リサーチの当該セミナーサイトからお申し込みください。
折り返し、 視聴用のURLを別途メールにてご連絡いたします。
詳細はURLをご覧ください。
3）セミナープログラムの紹介
1．パワーエレクトロニクスとは？
1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
1-2 パワーデバイスの種類と基本構造
1-3 パワーデバイスの適用分野
1-4 高周波動作のメリットは
1-5 パワーデバイス開発のポイントは何か
2．最新シリコンパワーデバイスの進展と課題
2-1 MOSFET・IGBT開発のポイント
2-2 特性向上への挑戦
2-3 MOSFET・IGBT特性改善を支える技術
2-4 最新のMOSFET・IGBT技術：まだまだ特性改善が進むシリコンデバイス
2-5 新構造IGBT：逆導通IGBT（RC-IGBT）の開発
3．SiCパワーデバイスの現状と課題
3-1 ワイドバンドギャップ半導体とは？
3-2 SiCのSiに対する利点
3-3 SiC-MOSFETプロセス
3-4 SiCデバイス普及拡大のポイント
3-5 SiC-MOSFET特性改善・信頼性向上のポイント
3-6 最新SiC-MOSFET技術
4．GaNパワーデバイスの現状と課題
4-1 GaNデバイス構造は”横型GaN on Si”が主流。なぜGaN on GaNではないのか？
4-2 GaN-HEMTの特徴と課題
4-3 GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
4-4 GaNパワーデバイスの強み、そして弱みはなにか
4-5 縦型GaNデバイスの最新動向
5．高温対応実装技術
5-1 高温動作ができると何がいいのか
5-2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
5-3 ますます重要度を増すSiC-MOSFETモジュール開発
4）講師紹介
【講師経歴】
1998年 博士（工学）（早稲田大学）。富士電機（株）に入社後、1988年から現在までIGBT、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事。
1992年 North Carolina State Univ. Visiting Scholar
1999年～2005年 薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事。
2009年5月～2013年3月 産業技術総合研究所。SiC-MOSFET、SBDの研究ならびに量産技術開発に従事。
2013年4月～ 国立大学法人 筑波大学 教授。現在に至る。
【活 動】
IEEE Senior Member、電気学会上級会員、応用物理学会会員。パワー半導体国際シンポジウム(ISPSD) 2021 組織委員会委員。日経エレクトロニクス パワエレアワード 2020 最優秀賞（2020年）。
【著 書】
1) パワエレ技術者のためのSiCパワー半導体デバイス（科学情報出版（株））（2024年2月発刊）
2) 車載機器におけるパワー半導体の設計と実装（科学情報出版（株））（2019年9月発刊）
3) SiC/GaNパワーエレクトロニクス普及のポイント（監修）（S&T 出版）（2018年1月
発刊）
4) 次世代パワー半導体の高性能化とその産業展開（監修）（シーエムシー出版）（2015年6月発刊）
5) 世界を動かすパワー半導体―IGBTがなければ電車も自動車も動かない- (編集委員)（電気学会）（2008年12月発刊）など
5）近日開催ウェビナー（オンライン配信セミナー）のご案内
〇医薬品容器（滅菌バイアル）の製造における微生物汚染管理、
無菌性保証およびバリデーション
開催日時：2024年9月20日（金）13：00～17：00
※見逃し配信付
〇最新自動車EMCの測定と対策
開催日時：2024年9月20日（金）13：30～16：30
〇リチウムイオン電池の基礎と性能・安全性評価手法
開催日時：2024年9月24日（火）13：30～16：30
〇光無線給電技術の基礎，技術動向，展望
開催日時：2024年9月24日（火）10：30～16：30
〇日米欧における食品包装規制の最新動向
～ 日本のポジティブリスト制度2025年6月1日完全施行前の留意点を学ぶ ～
開催日時：2024年9月25日（水）10：30～16：30
※見逃し配信付
〇間葉系幹細胞の品質管理の考え方：再現性のあるデータを得るためのノウハウ
開催日時：2024年9月26日（木）13：30～16：30
※見逃し配信付
〇アルカリ水電解の開発状況・課題と国内外の動向
開催日時：2024年9月26日（木）13：30～16：30
〇マテリアルズインフォマティクスの中核をなす計算科学シミュレーション技術
開催日時：2024年9月27日（金）10：30～16：30
〇蒸留技術の要点とAIを活用した応用研究
開催日時：2024年9月30日（月）10：30～16：30
6）関連書籍のご案内
（1） 世界のAIデータセンターを支える材料・デバイス 最新業界レポート
■ 発 行：2024年9月13日
■ 定 価：本体（冊子版）150,000円（税込 165,000円）
本体 + CD（PDF版）200,000円（税込 220,000円）
★ メルマガ会員：定価の10％引き！
■ 体 裁：A4判・並製・277頁
☆発行書籍の一覧はこちらから↓
