米政府の半導体技術｢対中輸出規制｣に例外措置

東洋経済オンライン
2022.10.24 22:00
アメリカ商務省の産業安全保障局（BIS）は10月7日、先端半導体技術の対中輸出に関する多数の規制措置を発表した。具体的な規制対象には、回線幅18nm（ナノメートル）以下のプロセス技術で製造するDRAM、積層数が128層以上のNANDフラッシュメモリー、回線幅16nm以下のロジック半導体の製造装置などが含まれている。

（訳注：BISの新規制については関連記事『米政府､先端半導体技術の｢対中輸出規制…
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